IRFP460 N-Channel Power MOSFET Transistor TO-247 (500V-0.27Ω-20A)
الوصف
يُعد IRFP460 ترانزستور قدرة من نوع N-Channel Enhancement MOSFET مصممًا لتطبيقات الجهد والقدرة العالية. يتميز بقدرته على تحمل جهد 500 فولت بين المصرف والمصدر (VDS) وتيار مستمر يصل إلى 20 أمبير، مع مقاومة تشغيل منخفضة RDS(on) تبلغ 0.24 أوم عند VGS = 10V. كما يوفر أداءً عاليًا في التبديل السريع، وقدرة على تحمل الانهيار المتكرر (Repetitive Avalanche Rated) ومقاومة حرارية منخفضة، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات إلكترونيات القدرة، والمحولات، ودوائر العاكس (Inverters)، وأنظمة التحكم في المحركات.
المميزات
- تحمل جهد حتى 500V.
- تيار تصريف مستمر يصل إلى 20A.
- مقاومة تشغيل منخفضة RDS(on) = 0.24Ω @ 10V.
- قدرة تبديد تصل إلى 250W.
- سرعة تبديل عالية مع زمن تشغيل وإيقاف منخفض.
- مصنف لتحمل الانهيار المتكرر (Repetitive Avalanche Rated).
- أداء حراري ممتاز ومقاومة حرارية منخفضة.
- يأتي في حزمة TO-247-3 المناسبة للتطبيقات عالية القدرة.
المواصفات الفنية
| الخاصية | القيمة |
|---|---|
| نوع الترانزستور | N-Channel Enhancement MOSFET |
| التغليف | TO-247-3 |
| أقصى جهد Drain-Source (VDS) | 500V |
| أقصى تيار مستمر (ID) | 20A |
| أقصى جهد Gate-Source (VGS) | ±20V |
| قدرة التبديد | 250W |
| مقاومة التشغيل RDS(on) | 0.24Ω @ 10V |
| تيار الاندفاع اللحظي | 80A |
| تيار التسريب العكسي | 25µA |
| شحنة البوابة | 18nC @ 10V |
| السعة الداخلة | 4100pF @ 25V |
| زمن التشغيل | 23ns |
| زمن الإيقاف | 85ns |
| زمن الصعود | 81ns |
| زمن الهبوط | 65ns |
| زمن الاستعادة العكسية | 580ns |
| درجة حرارة التشغيل | من -55°C إلى +175°C |
| طريقة التركيب | Through Hole |
| عدد الأرجل | 3 |







