IRFP064N 55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package
الوصف
يُعد IRFP064N ترانزستور قدرة من نوع N-Channel Enhancement MOSFET مصممًا لتطبيقات التيار العالي والجهد المنخفض. يتميز بجهد Drain-Source يصل إلى 55 فولت، وقدرة على تمرير تيار مستمر يصل إلى 110 أمبير عند 25°C، مع مقاومة تشغيل منخفضة جدًا RDS(on) تبلغ 8 mΩ عند VGS = 10V. كما يوفر أداءً ممتازًا في التبديل السريع، وتصنيفًا لتحمل الانهيار (Avalanche Rated)، ويأتي في حزمة TO-247 المناسبة لتطبيقات القدرة العالية مثل المحولات، وأنظمة التحكم بالمحركات، ومزودات الطاقة.
المميزات
- جهد Drain-Source يصل إلى 55V.
- تيار تصريف مستمر حتى 110A عند 25°C.
- مقاومة تشغيل منخفضة جدًا RDS(on) = 8mΩ @ VGS = 10V.
- سرعة تبديل عالية.
- يتحمل الانهيار (Fully Avalanche Rated).
- أقصى جهد للبوابة ±20V.
- درجة حرارة تشغيل حتى 175°C.
- حزمة TO-247 مناسبة لتطبيقات القدرة العالية.
المواصفات الفنية
| الخاصية | القيمة |
|---|---|
| نوع الترانزستور | N-Channel Enhancement MOSFET |
| التغليف | TO-247 |
| أقصى جهد Drain-Source (VDS) | 55V |
| أقصى تيار مستمر (ID @25°C) | 110A |
| أقصى تيار مستمر (ID @100°C) | 80A |
| أقصى جهد Gate-Source (VGS) | ±20V |
| مقاومة التشغيل RDS(on) | 8mΩ @ VGS = 10V |
| قدرة التبديد | حتى 200W (TO-247AC) |
| تيار النبضة (Pulsed Drain Current) | 390A |
| شحنة البوابة (Qg) | 113nC (Typ.) |
| جهد عتبة البوابة | 2 – 4V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C إلى +175°C |
| طريقة التركيب | Through Hole |
| عدد الأرجل | 3 |








