IRFP064N 55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package
الوصف
يُعد IRFP064N ترانزستور قدرة من نوع N-Channel Enhancement MOSFET مصممًا لتطبيقات التيار العالي والجهد المنخفض. يتميز بجهد Drain-Source يصل إلى 55 فولت، وقدرة على تمرير تيار مستمر يصل إلى 110 أمبير عند 25°C، مع مقاومة تشغيل منخفضة جدًا RDS(on) تبلغ 8 mΩ عند VGS = 10V. كما يوفر أداءً ممتازًا في التبديل السريع، وتصنيفًا لتحمل الانهيار (Avalanche Rated)، ويأتي في حزمة TO-247 المناسبة لتطبيقات القدرة العالية مثل المحولات، وأنظمة التحكم بالمحركات، ومزودات الطاقة.
المميزات
- جهد Drain-Source يصل إلى 55V.
- تيار تصريف مستمر حتى 110A عند 25°C.
- مقاومة تشغيل منخفضة جدًا RDS(on) = 8mΩ @ VGS = 10V.
- سرعة تبديل عالية.
- يتحمل الانهيار (Fully Avalanche Rated).
- أقصى جهد للبوابة ±20V.
- درجة حرارة تشغيل حتى 175°C.
- حزمة TO-247 مناسبة لتطبيقات القدرة العالية.
المواصفات الفنية
| الخاصية | القيمة |
|---|---|
| نوع الترانزستور | N-Channel Enhancement MOSFET |
| التغليف | TO-247 |
| أقصى جهد Drain-Source (VDS) | 55V |
| أقصى تيار مستمر (ID @25°C) | 110A |
| أقصى تيار مستمر (ID @100°C) | 80A |
| أقصى جهد Gate-Source (VGS) | ±20V |
| مقاومة التشغيل RDS(on) | 8mΩ @ VGS = 10V |
| قدرة التبديد | حتى 200W (TO-247AC) |
| تيار النبضة (Pulsed Drain Current) | 390A |
| شحنة البوابة (Qg) | 113nC (Typ.) |
| جهد عتبة البوابة | 2 – 4V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C إلى +175°C |
| طريقة التركيب | Through Hole |
| عدد الأرجل | 3 |
لوحة تجارب بريد بورد صغيرة Half-Size Breadboard
Relay 9VDC 10A 5 PIN
قصافة أسلاك صغيرة
جسم روبوت سيارة بموتورين 2WD Smart Motor Robot Car Chassis
Photoresistor LDR 12mm مقاومة ضوئية كبيرة
مكثف 3.3 ميكرو فاراد 50 فولت الكتروليتي
مكثف سيراميكي 100 نانو فاراد مكثف رقم 104
Ceramic Capacitor 470 pico Farad 0.47nF (471)
مكثف 2200 ميكرو فاراد 25 فولت الكتروليتي
مكثف 10 ميكرو فاراد 50 فولت الكتروليتي
TIP127 PNP Transistor 5A 100V Darlington
BC547 NPN Transistor BJT
Transistor Kit 17 Value 170pcs
Transistor C945 -NPN
IRF640 N-Channel MOSFET Transistor 18A
IRFZ44N MOSFET Transistor N-channel 49A 55V 







