IRF4905 P-Channel MOSFET Transistor
Type Designator: IRF4905
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 150 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
Maximum Drain Current |Id|: 64 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 120 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.02 Ohm
Package: TO220AB
مكثف سيراميكي 10 نانو فاراد مكثف رقم 103
كاوية لحام 60 واط
مجموعة مكثفات كيميائية 120 قطعة Capacitor Kit
مكثف 4.7 ميكرو فاراد 50 فولت الكتروليتي
مكثفث 2200 ميكرو فاراد 35 فولت الكتروليتي
IRF9530 P-Channel MOSFET Transistor 100v 14A 






