IRF4905 P-Channel MOSFET Transistor
Type Designator: IRF4905
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 150 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
Maximum Drain Current |Id|: 64 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 120 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.02 Ohm
Package: TO220AB
مكثف سيراميكي 30 بيكو فاراد مكثف رقم 300
مكثف 2.2 ميكرو فاراد 50 فولت الكتروليتي
ULN2803 Darlington Transistor array IC
مكثف 33 ميكرو فاراد 25 فولت الكتروليتي
BD237 NPN Transistor
IRF740 N-Channel MOSFET Transistor 10A 








